| Начало » 2007 » Февраль » 26 » SAMSUNG покоряет частоту 4 гигагерца для GDDR4 памяти SAMSUNG покоряет частоту 4 гигагерца для GDDR4 памяти 10:03 PM  Samsung Electronics - пожалуй, крупнейший производитель памяти - продемонстрировала на International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) свою новую разработку. Общественности был показан GDDR4 чип памяти, реальная частота которого на 40% превысила ожидаемую. Экспериментальными образцами послужили GDDR4 чипы вместительностью 512Mb, произведенные по технологии 80nm. При напряжении 2.0V была достигнута стабильная рабочая эффективная частота в 4GHz или 4Gb/s (4 gigabit per second). При работе на видеокартах с интерфейсом памяти 256-bit такие чипы позволят достичь пропускной способности до 128GB/s, в два раза больше, чем на ATI Radeon X1950 XTX. Но скоро должны появиться 512-bit графические чипы, показатель пропускания увеличится вдвое – до 256GB/s, а это где-то в три раза больше, чем у NVIDIA GeForce 8800 GTX (86.4GB/s). Вообще-то планировалось, что ход событий должен быть следующий: GDDR4 принесет частоту 2.8GHz в 2007-ом, GDDR5 поднимет планку до 3.5GHz в 2008-ом, а лишь потом до 4GHz в 2009-ом. Однако инженеры Samsung были не согласны с таким течением событий – они еще год назад выпустили GDDR4 с частотой 3.20GHz, а сейчас уже показывают частоту 4GHz все на том же типе памяти. Первые 3.20GHz GDDR4 чипы были получены в середине февраля прошлого года, и вот ровно через год был получен новый. (источник http://www.playground.ru/)
Категория: Железо | Просмотров: 624 | Добавил: alekszg | Рейтинг: 0.0 |
|
|||||||||
