Samsung Electronics - пожалуй, крупнейший производитель памяти - продемонстрировала на International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) свою новую разработку. Общественности был показан GDDR4 чип памяти, реальная частота которого на 40% превысила ожидаемую. Экспериментальными образцами послужили GDDR4 чипы вместительностью 512Mb, произведенные по технологии 80nm. При напряжении 2.0V была достигнута стабильная рабочая эффективная частота в 4GHz или 4Gb/s (4 gigabit per second). При работе на видеокартах с интерфейсом памяти 256-bit такие чипы позволят достичь пропускной способности до 128GB/s, в два раза больше, чем на ATI Radeon X1950 XTX. Но скоро должны появиться 512-bit графические чипы, показатель пропускания увеличится вдвое – до 256GB/s, а это где-то в три раза больше, чем у NVIDIA GeForce 8800 GTX (86.4GB/s). Вообще-то планировалось, что ход событий должен быть следующий: GDDR4 пр ... Читать дальше »